[发明专利]功率器件埋入式基板封装结构及制备方法在审
| 申请号： | 202010157780.6 | 申请日： | 2020-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN111341755A | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 黄平;鲍利华;顾海颖 | 申请（专利权）人： | 上海朕芯微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/31;H01L21/48;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海天翔知识产权代理有限公司 31224 | 代理人： | 吕伴 |
| 地址： | 201414 上海市奉*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了功率器件埋入式基板封装结构，其特征在于，包括功率半导体管芯和基板，所述功率半导体管芯通过流胶层压在所述基板上；在所述流胶内开设有若干盲孔和若干通孔，并对这些盲孔和通孔金属化，使得所述功率半导体管芯的电极与外层线路铜箔连接；对所述外层线路铜箔进行图形化处理后，进行植球和切割，形成功率器件埋入式基板封装结构。本发明还公开了上述率器件埋入式基板封装结构的制备方法。本发明解决了现有技术所存在的技术问题。本发明采用激光开孔在功率半导体管芯中的上电极的导电柱上作业，加工的冗余要比之前压焊盘Al层大很多，能极大地提高加工良率；另外，压焊盘Al层同导电柱联接非常好，这也有助于可靠性的提高。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 器件 埋入 式基板 封装 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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