[发明专利]一种基于二维材料的场效应整流器及其制备方法在审
| 申请号： | 202010158695.1 | 申请日： | 2020-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN111403473A | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 诸葛福伟;俞世文;翟天佑 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/06;H01L29/24 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明属于整流器领域，并具体公开了一种基于二维材料的场效应整流器及其制备方法。该场效应整流器包括从下至上依次设置的衬底、沟道层和耗尽层，同时还包括设置在耗尽层两侧的源极和漏极，其中沟道层由二维二硫化钼制成，以此降低场效应整流器的器件尺寸，耗尽层用于耗尽沟道层的载流子，用于提高场效应整流器的场效应调控能力。本发明采用二维二硫化钼材料作为场效应整流器的沟道层，使得器件尺寸得到了极大的降低，有利于实现更大的集成度，同时本发明通过增设耗尽层，用于耗尽沟道层的载流子，能够有效提升电场对于沟道层的调控性能，使得基于二维材料的场效应整流器获得较大的整流比，并在脉冲测试下展现出良好的整流特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 二维 材料 场效应 整流器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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