[发明专利]硅同位素Si-30在抗中高能中子辐射半导体材料或半导体器件的应用有效
| 申请号： | 202010159341.9 | 申请日： | 2020-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN111341838B | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 白婴;蔡增华;陈时友 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学 |
| 主分类号： | H01L29/16 | 分类号： | H01L29/16;H01L23/552 |
| 代理公司： | 上海蓝迪专利商标事务所(普通合伙) 31215 | 代理人： | 徐筱梅;张翔 |
| 地址： | 200241 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅同位素Si‑30在抗中高能中子辐射半导体材料或半导体器件的应用，所述硅同位素Si‑30的丰度高于其在天然硅中的自然丰度，将其用作半导体材料，该材料在处于能量范围为1eV~10MeV的中高能中子源辐照下，其发生硅原子的离位数DPA较天然硅材料最高可降低约35%，可以有效提升抗中高能中子辐照能力。因此，硅同位素Si‑30作为抗中高能中子辐射半导体材料，可以极大的提高半导体器件的抗中高能中子辐照能力，避免集成电路受损出现功能降级甚至失效。 | ||
| 搜索关键词： | 同位素 si 30 高能 中子 辐射 半导体材料 半导体器件 应用 | ||
【主权项】：
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