[发明专利]SONOS器件的制作方法有效

专利信息
申请号: 202010159625.8 申请日: 2020-03-10
公开(公告)号: CN111354638B 公开(公告)日: 2022-08-26
发明(设计)人: 董立群;刘政红;奇瑞生;黄冠群;陈昊瑜;邵华 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: H01L21/311 分类号: H01L21/311;H01L21/28;H01L27/11524;H01L27/1157
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 曹廷廷
地址: 201315*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了一种SONOS器件的制作方法,通过在打开非SONOS区域之后,首先去除非SONOS区域ONO层的阻拦氧化层,然后再去除非SONOS区域ONO层的氮化层,之后再将非SONOS区域的牺牲氧化层和SONOS区域的第一阻拦氧化层一并去除,一方面解决当前ONO层刻蚀窗口不足的问题,另一方面优化SONOS器件中不同区域之间的台阶高度差异,提高器件可靠性。
搜索关键词: sonos 器件 制作方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司,未经上海华力微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010159625.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top