[发明专利]功率器件及功率器件制备方法在审
| 申请号： | 202010160130.7 | 申请日： | 2020-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN111370481A | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 李东升;章剑锋 | 申请（专利权）人： | 瑞能半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/78;H01L29/06;H01L29/417;H01L21/331;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 娜拉 |
| 地址： | 330052 江西省南昌市*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种功率器件及功率器件制备方法，功率器件包括：外延层，外延层包括位于第二表面至第一表面之间预定厚度的漂移区，漂移区被配置为第一导电类型，外延层与厚度方向相垂直的横向上具有多个原胞结构；各原胞结构包括：冗余发射极沟槽，两个冗余发射极沟槽相互间隔设置，冗余发射极沟槽由第一表面延伸至漂移区，冗余发射极设置于冗余发射极沟槽；栅极沟槽，设置于两个冗余发射极沟槽之间，栅极沟槽由第一表面延伸至漂移区，栅极设置于栅极沟槽；体区，位于两个冗余发射极沟槽之间，体区被配置为第二导电类型；浮空区，位于各冗余发射极沟槽背向栅极沟槽一侧，浮空区被配置为第二导电类型，其中，浮空区的深度大于冗余发射极沟槽的深度。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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