[发明专利]抑制高开关频率碳化硅逆变器低频谐波的双载波调制方法有效

专利信息
申请号: 202010161586.5 申请日: 2020-03-10
公开(公告)号: CN111277124B 公开(公告)日: 2021-05-11
发明(设计)人: 严庆增;肖浪涛;孙鹏霄;赵仁德;徐海亮 申请(专利权)人: 中国石油大学(华东)
主分类号: H02M1/12 分类号: H02M1/12;H02M1/38;H02M7/537
代理公司: 徐州创荣知识产权代理事务所(普通合伙) 32353 代理人: 晏荣府
地址: 266580 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明公开一种高开关频率碳化硅逆变器的低频谐波抑制调制方法,主电路连接有抑制低频谐波的双载波调制模块和电流极性提取模块,主电路中三相输出电流输入至电流极性提取模块,获得三相基波电流,三相基波电流和三相调制波输入到抑制低频谐波的双载波调制模块,该模块输出六只碳化硅功率开关器件的驱动信号至主电路,构成了整个抑制高开关频率碳化硅逆变器低频谐波的双载波调制方法的控制环路。采用双载波与调制波比较获得驱动信号,在上下管驱动信号之间加入驱动空缺区,不需要额外加入开通延时环节来获得死区,控制环路不存在开通延时导致的延时环节,加入电流极性提取模块,根据电流极性改变双载波的幅值,达到抑制高开关频率碳化硅逆变器低频谐波的目的。
搜索关键词: 抑制 开关 频率 碳化硅 逆变器 低频 谐波 载波 调制 方法
【主权项】:
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