[发明专利]半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 202010163695.0 | 申请日： | 2020-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN113380693A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 汤玉捷;倪百兵 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底内形成第一导电结构，所述衬底暴露出所述第一导电结构的顶部表面，所述第一导电结构暴露出的顶部表面具有副产物层；进行清洗处理，去除所述副产物层；在所述清洗处理之后，在所述衬底上形成第一介质层，所述第一介质层内具有暴露出所述第一导电结构的第一开口。在本发明的技术方案中，通过在形成第一导电结构之后，且在形成第二介质层之前，对所述第一导电结构上的副产物层进行清洗处理，不会对第二介质层造成损伤，进而使得第二介质层内形成得第一开口具有较好的形貌；另外在清洗处理的过程中，所述副产物层上无阻挡层，有效的提升对所述副产物层的去除效率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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