[发明专利]一种Ti掺杂CdIn2

摘要

本发明公开了一种Ti掺杂CdIn2S4的中间带薄膜及其制备方法，制备方法首先清洗钠钙玻璃衬底，然后将CdIn2S4靶材与TiS2靶材分别安装在磁控溅射仪的靶位上，再将清洗干净的钠钙玻璃衬底固定在载物台上，抽真空，然后依次交替溅射CdIn2S4和TiS2，在钠钙玻璃衬底上沉积Ti‑CdIn2S4得到层叠膜，最后将所述层叠膜放入退火炉中退火，最终得到Ti‑CdIn2S4中间带薄膜。本发明的Ti掺杂CdIn2S4的中间带薄膜的制备方法，通过溅射法制备出纯尖晶石结构的Ti‑CdIn2S4薄膜，掺入Ti元素后形成杂质带，该薄膜可以吸收可见光‑红外光源范围内的光子，增多光生载流子降低电子‑空穴对复合，光吸收强度明显增强，并且随着Ti掺杂量的增加吸收强度也在增强。