[发明专利]一种反向恢复特性好的RC-IGBT芯片及其制造方法有效
| 申请号： | 202010165552.3 | 申请日： | 2020-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN111430453B | 公开（公告）日： | 2022-06-17 |
| 发明（设计）人： | 阳平 | 申请（专利权）人： | 上海擎茂微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/265;H01L21/331 |
| 代理公司： | 温州知远专利代理事务所(特殊普通合伙) 33262 | 代理人： | 汤时达 |
| 地址： | 201100 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种反向恢复特性好的RC‑IGBT芯片，本发明的反向恢复特性好的RC‑IGBT芯片，其FRD区内相邻发射沟槽区之间设置有与发射极电极形成欧姆接触的第二P型基区，第二P型基区的两侧设有与发射极电极形成肖特基接触的P型肖特基结区，并且第二P型基区的深度大于P型肖特基结区的深度，P型肖特基结区的掺杂浓度低于第二P型基区的掺杂浓度，第一P型基区的掺杂浓度与第二P型基区的掺杂浓度相等。本发明的反向恢复特性好的RC‑IGBT芯片其反向恢复电流较小，此外，本发明还涉及该RC‑IGBT芯片的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 反向 恢复 特性 rc igbt 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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