[发明专利]磁传感器装置有效
申请号: | 202010165768.X | 申请日: | 2020-03-11 |
公开(公告)号: | CN111693911B | 公开(公告)日: | 2023-05-05 |
发明(设计)人: | 太田尚城;蔡永福 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
主分类号: | G01R33/09 | 分类号: | G01R33/09;G01R33/00 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦;黄浩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明的磁传感器装置具有自旋阀型的磁阻效应元件,并且能够向该磁阻效应元件的自由层稳定地施加偏置磁场,其具备:自旋阀型的磁阻效应元件;基板,其配置有磁阻效应元件;电源,其供给施加于磁阻效应元件的实质上恒定的电流;以及磁场产生部,其被设置成串联连接于施加于磁阻效应元件的电流的电流路径,并且能够向至少一部分的磁阻效应元件施加偏置磁场,磁场产生部位于一部分的磁阻效应元件的附近,并且位于与基板不同的层。 | ||
搜索关键词: | 传感器 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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