[发明专利]功率半导体器件及功率半导体器件的制造方法有效
申请号: | 202010166471.5 | 申请日: | 2020-03-11 |
公开(公告)号: | CN113394204B | 公开(公告)日: | 2022-07-15 |
发明(设计)人: | 苏梨梨;曹俊;敖利波;史波;马浩华 | 申请(专利权)人: | 珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L25/16 | 分类号: | H01L25/16;H01L23/31;H01L21/50 |
代理公司: | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人: | 吴大建;何娇 |
地址: | 519000*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及一种功率半导体器件及功率半导体器件的制造方法,该功率半导体器件包括:塑封壳体,在塑封壳体上设有栅极引脚、集电极引脚、发射极引脚、正极引脚、负极引脚、片选端引脚及控制端引脚;封装在塑封壳体内的IGBT集成电路,其与栅极引脚、集电极引脚和发射极引脚相连;封装在塑封壳体内的DigiPOT集成电路,其与正极引脚、负极引脚、片选端引脚及控制端引脚相连,该DigiPOT集成电路通过固有的输入端和输出端接入在IGBT集成电路的栅极结构层内,并作为能够调节阻值的栅极电阻。该功率半导体器件不仅解决了栅极电阻不可调节的问题,还保证了其具有更广的适用范围和更好的通用性。 | ||
搜索关键词: | 功率 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】:
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