[发明专利]功率半导体器件及功率半导体器件的制造方法有效

专利信息
申请号: 202010166471.5 申请日: 2020-03-11
公开(公告)号: CN113394204B 公开(公告)日: 2022-07-15
发明(设计)人: 苏梨梨;曹俊;敖利波;史波;马浩华 申请(专利权)人: 珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司
主分类号: H01L25/16 分类号: H01L25/16;H01L23/31;H01L21/50
代理公司: 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 代理人: 吴大建;何娇
地址: 519000*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及一种功率半导体器件及功率半导体器件的制造方法,该功率半导体器件包括:塑封壳体,在塑封壳体上设有栅极引脚、集电极引脚、发射极引脚、正极引脚、负极引脚、片选端引脚及控制端引脚;封装在塑封壳体内的IGBT集成电路,其与栅极引脚、集电极引脚和发射极引脚相连;封装在塑封壳体内的DigiPOT集成电路,其与正极引脚、负极引脚、片选端引脚及控制端引脚相连,该DigiPOT集成电路通过固有的输入端和输出端接入在IGBT集成电路的栅极结构层内,并作为能够调节阻值的栅极电阻。该功率半导体器件不仅解决了栅极电阻不可调节的问题,还保证了其具有更广的适用范围和更好的通用性。
搜索关键词: 功率 半导体器件 制造 方法
【主权项】:
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