[发明专利]一种新型环保硅晶片清洗试剂及其制备方法及其应用在审
| 申请号： | 202010169150.0 | 申请日： | 2020-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN111440675A | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 骆祖文;王鲁艳;朱艳丽 | 申请（专利权）人： | 济南德锡科技有限公司 |
| 主分类号： | C11D1/831 | 分类号： | C11D1/831;C11D3/04;C11D3/075;C11D3/08;C11D3/20;C11D3/33;C11D3/60;B08B3/08;B08B3/10 |
| 代理公司： | 济南尚本知识产权代理事务所(普通合伙) 37307 | 代理人： | 杨宝根 |
| 地址： | 250100 山东省济南市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种新型环保硅晶片清洗试剂及其制备方法及其应用，包括如下质量浓度的物质：氢氧化钾0.2‑1.0g/L；硅酸钠0.1‑0.8g/L；焦磷酸钾0.1‑1.0g/L；络合剂0.01‑0.1g/L；渗透剂0.05‑0.5g/L；乳化剂0.05‑0.5g/L；余量为蒸馏水。本发明的配方中不含有任何有机溶剂和氟离子表面活性剂，本发明所制备的清洗试剂特别适用于单晶硅、多晶硅等硅晶片的清洗，清洗表面均匀光洁，无任何花斑、砂粒、研磨料、金属离子及指纹等残留，通过滤纸擦拭，无任何硅粉等物质残留，能极好的满足客户生产需求，且该工艺环保，生产过程无任何有机溶剂添加，产品环保无污染。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 环保 晶片 清洗 试剂 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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