[发明专利]R-T-B系永久磁铁有效
| 申请号： | 202010169389.8 | 申请日： | 2020-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN111710489B | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 工藤光 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01F1/057 | 分类号： | H01F1/057;H01F7/02 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;程采 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的永久磁铁含有Nd、Fe、B和Ga，作为晶界相含有第一富T相(1)、第二富T相(3)和贫T相(5)，第一富T相(1)满足1.7≤[T]/[R]≤3.0，第二富T相(3)满足0.8≤[T]/[R]≤1.5，贫T相(5)满足0.0≤[T]/[R]≤0.6，并且满足下述式4和式5。[T]为Fe和Co的浓度(原子％)，[R]为Nd、Pr、Tb和Dy的浓度(原子％)，S1为在永久磁铁的截面露出的第一富T相(1)的面积，S2为在上述截面露出的第二富T相(3)的面积，S3为在上述截面露出的贫T相(5)的面积。0.30≤(S1+S2)/(S1+S2+S3)≤0.80(4)；0.20≤S2/(S1+S2)≤0.80(5)。 | ||
| 搜索关键词： | 永久磁铁 | ||
【主权项】：
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