[发明专利]沟槽的刻蚀方法有效
| 申请号： | 202010169846.3 | 申请日： | 2020-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN111403275B | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 李昊 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽的刻蚀方法，包括步骤：在半导体衬底表面形成底部硬质掩膜层和由第一多晶半导体材料层、第一介质层和第二多晶半导体材料层叠加而成的顶部硬质掩膜层；形成光刻胶图形；进行第一次刻蚀将光刻胶图形转移到第二多晶半导体材料层中；进行第二次刻蚀将图形结构转移到第一介质层中；进行第三次刻蚀将第二多晶半导体材料层以及打开区域的第一多晶半导体材料层去除；进行第四次刻蚀将打开区域的底部硬质掩膜层去除；进行第五次刻蚀在半导体衬底中形成沟槽。本发明能减少光刻胶的厚度从而能缩小沟槽的开口宽度以及实现对沟槽的开口尺寸的精确控制，同时能增加硬质掩膜层的厚度从而能增加沟槽的深度。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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