[发明专利]半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202010169961.0 | 申请日： | 2020-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN111463326B | 公开（公告）日： | 2023-03-31 |
| 发明（设计）人： | 樊永辉;曾学忠;樊晓兵;许明伟 | 申请（专利权）人： | 深圳市汇芯通信技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/00;H01L33/12;H01L33/32 |
| 代理公司： | 深圳国新南方知识产权代理有限公司 44374 | 代理人： | 周纯 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田区华富街道莲*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及化合物半导体材料与器件领域，具体涉及一种半导体器件及其制备方法。所述半导体器件包括：衬底；形成于所述应力吸收层上的过渡层或缓冲层；形成于所述过渡层或所述缓冲层上的氮化铝外延层。本发明提供的半导体器件，通过在衬底和氮化铝外延层之间设置应力吸收层和过渡层，达到减少或消除由于材料晶格和热膨胀系数不同引起的缺陷，包括位错(Dislocation)及龟裂(Crack)，从而提高基于此材料结构的LED或半导体器件的性能、良率及可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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