[发明专利]一种基于二维材料的全光二极管及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202010170205.X 申请日: 2020-03-12
公开(公告)号: CN111458791A 公开(公告)日: 2020-07-28
发明(设计)人: 陆顺斌;唐杰;林鸿坚;孟硕磊;周世君 申请(专利权)人: 深圳大学
主分类号: G02B6/122 分类号: G02B6/122;G02F1/35
代理公司: 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 代理人: 吴志益
地址: 518060 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种基于二维材料的全光二极管及其制备方法,所述全光二极管包括:第一介质层、第二介质层和位于所述第一介质层和所述第二介质层之间的石英片;其中,所述第一介质层和所述第二介质层为具有相反的非线性吸收性质的二维非线性光学材料。本发明将具有饱和吸收特性和具有反饱和吸收特性的第一介质层和第二介质层通过平行并置的方式构成一个双分子层的夹层结构,所得到的光子二极管的元件特性完全由每一组成部分决定而不需要引入新的参数,这种结构简单且无需满足周期性结构,无源的,偏振无关的,无需相位匹配。
搜索关键词: 一种 基于 二维 材料 二极管 及其 制备 方法
【主权项】:
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