[发明专利]一种MEMS开关结构和制造方法有效
申请号: | 202010170824.9 | 申请日: | 2020-03-12 |
公开(公告)号: | CN111446089B | 公开(公告)日: | 2022-04-26 |
发明(设计)人: | 康晓旭;赵宇航 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司 |
主分类号: | H01H1/00 | 分类号: | H01H1/00;B81C1/00 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吴世华;张磊 |
地址: | 201210 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种MEMS开关结构,包括:设于第一介质层上的控制电极、第一连接电极和第二连接电极,设于第一介质层之上的导电支撑柱和第二介质层,支撑柱的下端连接第二连接电极,支撑柱的上端连接导电悬臂梁,悬臂梁的下表面上设有突出的导电触点,第二介质层的侧面上设有相上下衔接的第一卡槽和第二卡槽;当在控制电极上施加电压时,使悬臂梁受到吸引产生向下的弹性形变而使悬臂梁的自由端由第一卡槽中滑出并落入第二卡槽中使开关闭合;当取消施加在控制电极上的电压时,悬臂梁在自身张应力的作用下产生向上的弹性回复而使悬臂梁由第二卡槽中滑出并落入第一卡槽中使开关打开。本发明可以实现超低功耗的开关及其电路功能。 | ||
搜索关键词: | 一种 mems 开关 结构 制造 方法 | ||
【主权项】:
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