[发明专利]一种三阵列周期式近红外宽波段光吸收增强结构在审
申请号: | 202010171029.1 | 申请日: | 2020-03-12 |
公开(公告)号: | CN111370506A | 公开(公告)日: | 2020-07-03 |
发明(设计)人: | 刘永;杜明 | 申请(专利权)人: | 苏州众为光电有限公司 |
主分类号: | H01L31/0232 | 分类号: | H01L31/0232;H01L31/028;H01L31/09;G02B5/00 |
代理公司: | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 | 代理人: | 祁云珊 |
地址: | 215000 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种三阵列周期式近红外宽波段光吸收增强结构,包括:从上至下依次层叠设置的石墨烯层、金属微纳阵列层、介质层及基底层,其中,所述金属微纳阵列层包括至少一组同层阵列布置的阵列单元,每一组阵列单元包括沿一阵列方向依次间隔设置的第一微纳颗粒列、第二微纳颗粒列及第三微纳颗粒列,所述第一微纳颗粒列、第二微纳颗粒列及第三微纳颗粒列中均由若干等距间隔设置的金属微纳颗粒沿着各自的列队方向布置而成。根据本发明,其通过对该结构的几何参数进行调整,可以调节其光吸收谱使其满足不同谐振频率范围内的应用需求。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 周期 红外 波段 光吸收 增强 结构 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州众为光电有限公司,未经苏州众为光电有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010171029.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的