[发明专利]AlN或AlGaN薄膜材料的制备方法及应用在审
| 申请号： | 202010171610.3 | 申请日： | 2020-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN111415858A | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 刘可为;朱勇学;申德振;陈星;张振中;李炳辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/0304;H01L33/32;C30B25/18;C30B29/40 |
| 代理公司： | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人： | 曹卫良 |
| 地址： | 130033 吉林省长春*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出了一种AlN或AlGaN薄膜材料的制备方法，包括以下步骤：在衬底上利用电子束Al源炉制备AlN缓冲层或成核层；在AlN缓冲层或成核层表面利用电子束Al源炉制备AlN或AlGaN主外延层；本发明的AlN或AlGaN薄膜材料的制备方法，利用电子束Al源炉制备AlN或AlGaN薄膜，相对于传统的热蒸发源炉，在其他生长条件相同下，可以有效地改善样品的表面形貌，使生长模式更易为层状生长，减少AlN薄膜与衬底界面处产生新缺陷的几率，降低材料的位错密度，提高表面平整度，改善材料质量，可以进一步提高深紫外发光及探测器件的性能，为其在广泛的军民应用领域提供基础。 | ||
| 搜索关键词： | aln algan 薄膜 材料 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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