[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 202010171855.6 | 申请日： | 2015-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN111341729B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 吴铁将 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，所述半导体装置包括基材、第一主动区、第二主动区以及闸极结构。第一主动区和第二主动区设于基材中。闸极结构包括底部、和第一主动区连接的第一侧壁，以及和第二主动区连接的第二侧壁。第一侧壁和底部具有第一交点，从第一交点往基材延伸出第一水平线，而第一侧壁和第一水平线具有第一夹角。第二侧壁和底部具有第二交点，从第二交点往基材延伸出第二水平线，而第二侧壁和第二水平线具有第二夹角。第一夹角与第二夹角不同。根据本发明，即便缩减半导体装置的尺寸，但两相邻闸极堆叠的底部之间的距离可保持固定，因此半导体装置中可以不产生字元线(WL)间干扰，进而增进较小尺寸的半导体装置的效能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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