[发明专利]一种低功耗半浮栅存储器及其制备方法

摘要

本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种低功耗半浮栅存储器及其制备方法。本发明低功耗半浮栅存储器，包括：衬底；在衬底上的石墨烯栅极；部分覆盖石墨烯栅极的阻挡层；覆盖阻挡层的半浮栅；位于半浮栅上的半闭合隧穿层；异质结，其第一端位于半浮栅上，且与半闭合隧穿层平行邻接，其第二端覆盖半闭合隧穿层和异质结的第一端；石墨烯漏极和石墨烯源极，位于异质结的第二端上；其中，阻挡层、半浮栅、半闭合隧穿层、异质结的一端和第二端，依次为不同的二维材料。本发明可有效改善了器件的可靠性，加快数据写入速度，增加数据保持时间，进一步降低功耗。