[发明专利]离子生成装置及离子注入装置在审
| 申请号： | 202010173234.1 | 申请日： | 2020-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN111710584A | 公开（公告）日： | 2020-09-25 |
| 发明（设计）人： | 越智秀太 | 申请（专利权）人： | 住友重机械离子科技株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 任玉敏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够稳定地生成高纯度的多价离子的离子生成装置。离子生成装置(10)具备：电弧室(50)，区划等离子体生成空间(S)；阴极(56)，朝向等离子体生成空间(S)释放热电子；及反射极(58)，隔着等离子体生成空间(S)而与阴极(56)相对置。电弧室(50)具有：箱形主体部(52)，其前表面(52g)开口；及狭缝部件(54)，安装在主体部(52)的前表面(52g)，且设置有用于引出离子的前狭缝(60)。暴露于等离子体生成空间(S)的主体部(52)的内表面(52a)由高熔点金属材料构成，暴露于等离子体生成空间(S)的狭缝部件(54)的内表面(54a)由石墨构成。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 生成 装置 注入 | ||
【主权项】：
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