[发明专利]具有多重限制隔离的VCSEL及VCSEL制作方法在审
| 申请号： | 202010173318.5 | 申请日： | 2020-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN111181004A | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 田宇;杜石磊;韩效亚;马祥柱 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361001 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种具有多重限制隔离的VCSEL及VCSEL制作方法，通过设置第一氧化层、第二氧化层、第三氧化层和离子注入层，并且第一氧化层的氧化深度、第二氧化层的氧化深度、第三氧化层的氧化深度和离子注入层的离子扩散深度依次减小，以及对各氧化层的氧化形状进行特殊设置，形成特殊的限制图形来实现多重限制隔离，从而形成特定的限制孔径，对载流子的扩散路径进行有效控制，将载流子集中化注入到有源区。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 多重 限制 隔离 vcsel 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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