[发明专利]一种无主栅硅异质结SHJ太阳能电池及其制备方法有效
| 申请号： | 202010173397.X | 申请日： | 2020-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN111370504B | 公开（公告）日： | 2022-09-23 |
| 发明（设计）人： | 刘正新;韩安军;孟凡英;张丽平;石建华;杜俊霖;周华;谢毅 | 申请（专利权）人： | 中威新能源（成都）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/0747;H01L31/18 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 周孝湖 |
| 地址： | 610000 四川省成都市中国(四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种无主栅硅异质结SHJ太阳能电池及其制备方法，包括依次设置在单晶硅衬底一侧的第一本征非晶硅层、N型掺杂非晶硅叠层、第一TCO(Transparent Conductive Oxide：透明导电氧化物)薄膜层以及栅线电极，依次设置在单晶硅衬底另一侧的第二本征非晶硅层、P型掺杂非晶硅叠层、第二TCO薄膜层以及另一栅线电极，所述的栅线电极均为细栅线电极，栅线电极宽度以及栅线电极间距L均通过总功率损失公式计算得到。通过总功率损失公式来计算电极栅线电极间距和栅线电极宽度，来精准调节细栅线宽度和TCO薄膜层电阻，从而降低银浆的使用量与遮挡面积，获得高的光电转换效率和高的双面率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 无主 栅硅异质结 shj 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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