[发明专利]一种内锡工艺的Nb3有效

专利信息
申请号: 202010174230.5 申请日: 2020-03-13
公开(公告)号: CN111262051B 公开(公告)日: 2021-01-29
发明(设计)人: 孙万硕;王秋良;程军胜;戴银明;胡新宁;王晖;刘建华 申请(专利权)人: 中国科学院电工研究所
主分类号: H01R4/68 分类号: H01R4/68;H01R43/00;H01F6/06;H01F41/04
代理公司: 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 代理人: 关玲
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种内锡工艺Nb3Sn超导线接头及其制备方法,由外向内分别为,铜管、Nb3Sn接头部分、Nb丝束。Nb丝束位于铜管中心,Nb丝束和铜管内壁之间为Nb3Sn接头部分。Nb3Sn接头部分包括Nb3Sn烧结块体、Nb粉、Sn粉和Cu粉。Nb3Sn烧结块体包括两部分:一部分由Nb粉、Sn粉和Cu粉经过高温扩散反应生成,另一部分由高温热处理反应后的青铜工艺Nb3Sn线材中剥离出的Nb3Sn多丝,然后球磨成粉体并烧结得到。Nb丝束为由未经热处理的Nb3Sn超导线去除稳定层Cu和扩散阻隔层Ta及内部的Sn,剩余的Nb多丝编织而成。内锡工艺Nb3Sn测试线圈的进线端和出线端经过高温热处理反应,在接头部分形成超导连接。本发明Nb3Sn超导接头的临界磁场高,电阻低。
搜索关键词: 一种 工艺 nb base sub
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