[发明专利]利用自然氧化层形成具有沟道结构的三维存储器件的方法

摘要

公开了具有带有自然氧化层的沟道结构的3D存储器件及其形成方法的实施例。在示例中，公开了一种用于形成3D存储器件的方法。在衬底上形成电介质堆叠层。衬底上的电介质堆叠层包括交错的第一电介质层和第二电介质层。形成垂直延伸穿过电介质堆叠层的开口。沿着开口的侧壁形成自然氧化层。自然氧化层包括至少一些第一电介质层的自然氧化物。将沉积氧化层、存储层、隧穿层和半导体沟道按此顺序相继形成在自然氧化层之上并沿着所述开口的侧壁。通过用导体层替换电介质堆叠层中的第一电介质层，形成包括交错的导体层和第二电介质层的存储堆叠层。