[发明专利]一种硒化铅/氧化锡锑复合对电极的制备方法有效
| 申请号： | 202010174579.9 | 申请日： | 2020-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN111370233B | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 靳斌斌;杨彪;陈星巧;倪洪山;蒋楚星;张帆;周娅;向莲;蔡裕霞 | 申请（专利权）人： | 长江师范学院 |
| 主分类号： | H01G9/20 | 分类号： | H01G9/20;H01G9/042 |
| 代理公司： | 西安尚睿致诚知识产权代理事务所(普通合伙) 61232 | 代理人： | 何凯英 |
| 地址： | 408100 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硒化铅/氧化锡锑复合对电极的制备方法，其原理是在氧化锡锑薄膜上快速生长硒化铅并构筑一种用于量子点敏化太阳电池的硒化铅/氧化锡锑复合对电极，所得对电极具有高的催化活性和导电性，提高了量子点敏化太阳电池的性能，该制备方法具有制备工艺简单、成本低廉、易工业化生产等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硒化铅 氧化 复合 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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