[发明专利]隔离保护环、半导体结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202010175085.2 | 申请日： | 2020-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN111403345B | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 何家兰 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L27/02;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 高园园 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种隔离保护环、半导体结构及其制备方法，隔离保护环的制备方法包括如下步骤：1)提供基底；2)于所述基底的上表面形成介质层；3)于所述介质层内形成环形凹槽，所述环形凹槽贯穿所述介质层；及4)于所述环形凹槽的侧壁及底部形成金属层，位于所述环形凹槽侧壁的所述金属层内侧具有间隙；并于所述间隙内形成填充介质层。本发明的隔离保护环的制备方法在不增加工艺流程及成本的基础上具有更大的工艺窗口，在凹槽内形成的金属层内不会有孔洞，避免缺陷的产生，具有更好的防水汽、防氧气、防机械损伤及防静电损伤的效果，性能更加可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离 保护环 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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