[发明专利]类超晶格锡硒-锑碲信息功能存储介质及其制备方法

摘要

本发明公开一种类超晶格锡硒‑锑碲信息功能存储介质及其制备方法，该存储介质的总厚度为40‑60 nm，结构通式为[SnSe2(a)/Sb2Te3(b)]n，其中a和b分别表示单个周期中SnSe2薄膜和Sb2Te3薄膜的厚度，且1a25 nm，1b25 nm，n为纳米复合多层结构相变薄膜的总周期数，且1n25。利用本发明公开的方法制备该类超晶格材料，在调节SnSe2薄膜和Sb2Te3薄膜的厚度比和周期数后，类超晶格SnSe2/Sb2Te3相变存储薄膜兼有热稳定性高和相变速度快的特征。