[发明专利]一种制作增强型氮化镓功率器件的方法有效
| 申请号： | 202010175224.1 | 申请日： | 2020-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN111653478B | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 梁玉玉;蔡文必;刘成;叶念慈;赵杰 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 张松亭;陈淑娴 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制作增强型氮化镓功率器件的方法，是在半导体基底的势垒层上形成一层层状纳米材料层，蚀刻层状纳米材料层于预设栅极位置形成第一窗口，沉积p型氮化物层，然后剥离所述层状纳米材料层，余下所述第一窗口之内的p型氮化物层形成p型栅极层。所述层状纳米材料层是六方氮化硼薄膜或类石墨烯二维纳米材料。本发明采用层状纳米材料层制作一种增强型氮化镓功率器件，避免因p型氮化物层蚀刻造成的势垒层界面损伤，提升器件电性特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制作 增强 氮化 功率 器件 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
