[发明专利]类超晶格锌锑-锑硒纳米相变薄膜及其制备和应用在审
| 申请号： | 202010175608.3 | 申请日： | 2020-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN111276609A | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 吴卫华;朱小芹;薛建忠 | 申请（专利权）人： | 江苏理工学院 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 杭行 |
| 地址： | 213011 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开一种类超晶格结构ZnSb/SbSe相变存储薄膜及其制备和应用，该相变存储薄膜的总厚度为40‑60 nm，结构通式为[ZnSb(a)/SbSe(b)] |
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| 搜索关键词： | 晶格 纳米 相变 薄膜 及其 制备 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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