[发明专利]改进的阴极弧源设备在审
| 申请号： | 202010178933.5 | 申请日： | 2020-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN111690899A | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 史旭;杨明楚;陈国豪 | 申请（专利权）人： | 纳峰真空镀膜（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/32 | 分类号： | C23C14/32 |
| 代理公司： | 北京恒都律师事务所 11395 | 代理人： | 李向东 |
| 地址： | 201703 上海市青浦区青*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种阴极弧源，包括：阴极靶材；位于靶面上方的第一磁场源；位于靶面下方的第二个磁场源；以及第三磁场源，位于第一磁场源和第二磁场源之间，并且与第一磁场源具有相反的极性；其中，来自第一、第二和第三磁场源所产生的垂直零磁场在靶面上方。本发明还提供了一种敲击阴极靶材的方法和一种使用本文所述的阴极弧源进行的沉积涂层的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 改进 阴极 设备 | ||
【主权项】：
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