[发明专利]光电探测器及其制作方法在审
| 申请号： | 202010179085.X | 申请日： | 2020-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN111352186A | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 梁松;张立晨 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;G02B6/12;G02B6/14;G02B6/30;G01D5/34 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴梦圆 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种光电探测器及其制作方法，该方法包括如下步骤：在衬底上依次生长远场缩减层、间隔层、波导层、吸收层及接触层；刻蚀吸收层及接触层形成探测器波导；刻蚀波导层形成自探测器波导端到光耦合端宽度逐渐减小的楔形波导；刻蚀间隔层及远场缩减层形成下波导，探测器波导端的宽度小于下波导的宽度，且大于光耦合端的宽度。由此得到的光电探测器与模斑转换器集成，该模斑转换器可以几乎绝热地将波导的不对称近场分布转换为对称的输入或输出近场，这样既可以提高有源器件和光纤的耦合效率，又可以提高其耦合容差。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 探测器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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