[发明专利]包括垂直存储器的集成电路装置在审
| 申请号： | 202010180450.9 | 申请日： | 2020-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN112071853A | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 金宽容;沈善一;赵源锡 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/11568 | 分类号： | H01L27/11568;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 田野;尹淑梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种集成电路装置，所述集成电路装置包括多条字线、堆叠在多条字线上的串选择线结构以及在竖直方向上延伸穿过多条字线和串选择线结构的多个沟道结构。串选择线结构包括串选择弯折线，串选择弯折线包括在比多条字线的水平高的第一水平处沿水平方向延伸的下水平延伸部、在比第一水平高的第二水平处沿水平方向延伸的上水平延伸部以及连接在下水平延伸部与上水平延伸部之间的竖直延伸部。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 垂直 存储器 集成电路 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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