[发明专利]半导体结构及形成方法

摘要

本发明实施方式提供一种半导体结构及形成方法，其形成方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底已形成隔离结构、有源区和埋入式字线结构，埋入式字线结构顶部形成有第一介质层；在半导体衬底的顶部表面和第一介质层的顶部表面确定位线接触开口的位置；依据位线接触开口的位置，刻蚀位线接触开口所暴露出的有源区、第一介质层和隔离结构，直至将有源区刻蚀至预设深度形成位线接触窗；形成第二介质层于深度大于位线接触窗内有源区表面的隔离结构表面和第一介质层表面。该方法通过回填位线接触窗底部的刻蚀缺陷，增大位线接触窗与埋入式字线结构的间距，解决了现有DRAM制造方法中导电部件之间可能会出现短接的问题。