[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的设备在审
| 申请号： | 202010180730.X | 申请日： | 2020-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN111724828A | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 林泰洙;朴景旭;李根;韩赫 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C5/02 | 分类号： | G11C5/02;G11C16/08;G11C16/24;H01L27/11563;H01L27/11565;H01L27/11568;H01L27/11578;H01L29/732 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜;王占杰 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种半导体器件和一种制造半导体器件的设备。所述半导体器件包括：交替堆叠在衬底上的栅电极和层间绝缘层；沟道结构，所述沟道结构在第一方向上彼此间隔开并竖直地穿过所述栅电极和所述层间绝缘层延伸到所述衬底；以及第一分隔区域，所述第一分隔区域竖直地延伸穿过所述栅电极和所述层间绝缘层。每个栅电极包括第一导电层和第二导电层，所述第一导电层设置在所述第二导电层与两个相邻的层间绝缘层中的每个层间绝缘层之间。在每个栅电极的位于与所述第一分隔区域相邻的最外面的沟道结构与所述第一分隔区域之间的第一区域中，所述第一导电层的厚度朝向所述第一分隔区域减小，并且所述第二导电层的厚度朝向所述第一分隔区域增大。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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