[发明专利]一种导电性Mg-P共掺杂Cu2

摘要

本发明涉及负热膨胀材料技术领域，且公开了一种导电性Mg‑P共掺杂Cu2V2O7‑石墨烯负热膨胀材料及其制法，包括以下配方原料：氧化石墨烯，CuO、MgO、V2O5、NH4H2PO4。该一种导电性Mg‑P共掺杂Cu2V2O7‑石墨烯负热膨胀材料及其制法，Cu2V2O7具有稳定的线性负热膨胀系数，通过Mg掺杂Cu2V2O7，形成了中心对称的单斜相结构，在温度变化下，Mg‑O键产生振动效应，增加Cu2V2O7晶体内部耦合效应，破坏了晶体内部线性链状的单斜相，氧原子在晶格内部形成新的排列，产生了局部坍塌，使Cu2V2O7表现负热膨胀现象，P原子取代了部分V原子，减小Cu2V2O7晶粒尺寸，P‑O键的键能大于V‑O键，降低了Cu2V2O7晶格中的应力，减小了晶格畸变，降低了电子的散射概率和高频介电常数，从而增强了Cu2V2O7的电导率。