[发明专利]一种增强SERS活性的太阳花纳米阵列结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202010182019.8 | 申请日： | 2020-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN111426674B | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 王雅新;温嘉红;赵晓宇;张永军 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | G01N21/65 | 分类号： | G01N21/65;B82Y30/00;B82Y40/00;C08F212/08;C08F220/06 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人： | 尉伟敏 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及纳米材料技术领域，公开了一种增强SERS活性的太阳花纳米阵列结构及其制备方法。该制备方法包括以下步骤：清洗硅片；通过自组装法，在硅片表面制备由两种直径的聚苯乙烯微球构成的有序的单层太阳花阵列；所述两种聚苯乙烯微球的直径比为1:(2.5~10)；对聚苯乙烯微球阵列进行刻蚀，直到直径较小的聚苯乙烯微球的直径缩小10%~40%；在刻蚀完成的阵列上溅射银，即制得增强SERS活性的太阳花纳米阵列结构。通过本发明的制备方法制得的太阳花纳米阵列结构，其SERS活性较大，能提高SERS检测的灵敏性、准确性和重复性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增强 sers 活性 太阳 纳米 阵列 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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