[发明专利]一种从高硅铝合金中获得块体硅的方法在审
| 申请号： | 202010182714.4 | 申请日： | 2020-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN111333073A | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 金青林;王顺金;刘恩典 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | C01B33/021 | 分类号： | C01B33/021;C30B28/08;C30B29/06 |
| 代理公司： | 昆明合盛知识产权代理事务所(普通合伙) 53210 | 代理人： | 龙燕 |
| 地址： | 650093 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种从高硅铝合金中获得块体硅的方法，属于太阳能级多晶硅技术领域。在采用感应加热区域熔炼实现初生硅分离的基础上，去除铝富集部分后再次区熔，经过多次区域熔炼，硅在试样底部的富集程度逐渐提高，最终便能获得块体硅；具体为采用工业硅和工业铝为原料，制备铝硅合金铸锭，采用区域熔炼工艺对铸锭进行感应加热区域熔炼。区熔结束后取出试样，截取试样底部的初生硅富集部分再次区熔以获得更加致密的初生硅，最终获得块体硅。本发明通过区域熔炼从铝硅合金中获得块体硅，解决了合金凝固精炼分离硅时夹杂较多铝的问题，实现了初生硅高效分离的同时直接获得块体硅。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铝合金 获得 块体 方法 | ||
【主权项】：
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