[发明专利]在多站中的晶片弯曲度的控制有效
| 申请号： | 202010186094.1 | 申请日： | 2017-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN111508810B | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 爱德华·奥古斯蒂尼克;大卫·弗伦希;苏尼尔·卡普尔;崎山幸则;乔治·托马斯 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠;张静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及在多站中的晶片弯曲度的控制。描述了在等离子体处理站中控制晶片弯曲度的系统。该系统包括提供低频RF信号的电路和提供高频RF信号的另一电路。该系统包括输出电路和站。所述输出电路组合所述低频RF信号和所述高频RF信号以产生用于所述站的多个组合的RF信号。输送到所述站中的一个的低频功率的量取决于晶片弯曲度，例如晶片的非平坦度。弯曲的晶片使输送到具有公共RF源的多站室中的站的低频功率下降。并联电感器与所述站中的一个并联耦合，以增加流向具有弯曲的晶片的站的电流量。因此，站功率对晶片弯曲度变得不太灵敏，从而使晶片弯曲度最小化。 | ||
| 搜索关键词： | 中的 晶片 弯曲 控制 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于朗姆研究公司，未经朗姆研究公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010186094.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
