[发明专利]三维存储器及其控制方法、控制装置和存储介质

摘要

本发明提供一种三维存储器及其控制方法、控制装置和存储介质，该三维存储器包括半导体衬底；半导体材料层，位于所述半导体衬底上；堆叠结构，位于所述半导体材料层上，所述堆叠结构包括交替叠置的介电层和栅极层；存储串，穿过所述堆叠结构和半导体材料层；其中，所述堆叠结构的最底部的至少两层所述栅极层作为底部选择管的栅极层。利用本发明，通过在三维存储器中设计使用多层底部选择管，在进行数据操作(包括编程、读取及参数操作)时可以更好的实现下选择管的关断以及打开的操作，提高三维存储器的整体性能。