[发明专利]有源矩阵基板的制造方法有效
| 申请号： | 202010186575.2 | 申请日： | 2020-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN111722446B | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 原健吾;大东彻;今井元;菊池哲郎;铃木正彦;西宫节治;山中昌光;上田辉幸;高畑仁志 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 权鲜枝;刘宁军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 有源矩阵基板的制造方法包含如下工序：(A)，在基板上形成遮光层及下部导电层；(B)，以覆盖遮光层及下部导电层的方式形成下部绝缘层；(C)，在下部绝缘层上形成氧化物半导体层、栅极绝缘层及栅极电极；(D)，以覆盖栅极电极及氧化物半导体层的方式形成层间绝缘层；(E)，将源极接触孔及漏极接触孔形成于层间绝缘层，并且以使下部导电层的一部分露出的方式将连接部接触孔形成于层间绝缘层及下部绝缘层；以及(F)，在层间绝缘层上形成源极电极、漏极电极及上部电极层。工序(E)包含：工序(e‑1)，在层间绝缘膜上形成光致抗蚀剂膜；及工序(e‑2)，使用多灰度级掩模将光致抗蚀剂膜曝光，之后进行显影，从而形成光致抗蚀剂层。 | ||
| 搜索关键词： | 有源 矩阵 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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