[发明专利]功率半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202010186779.6 | 申请日： | 2020-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN111725151A | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 市川庆太郎;鹿野武敏;四个所裕二;河原史伦 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/495;H01L21/48;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供使用了引线框的功率半导体装置以及其制造方法，该功率半导体装置以及其制造方法对端子的变形、弯曲进行抑制，确保端子间的绝缘性，并且使向控制基板的安装性变好。通过设置封装体(1)、端子(3)以及端子弯曲部(4)，从而能够对端子(3)的变形、弯曲进行抑制，在相邻的端子(3)之间确保所需的绝缘性，容易地进行向控制基板的安装，其中，封装体(1)具有在引线框(2)之上搭载并封装有半导体元件的引线框(2)，端子(3)从封装体(1)的侧面露出、弯曲，端子弯曲部(4)是端子(3)的弯曲部分且宽度大于端子(3)的前端宽度而小于或等于与封装体(1)相接的端子(3)的宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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