[发明专利]基于衬底SiON波导键合实现模斑转换的方法及模斑转换器有效

专利信息
申请号: 202010187478.5 申请日: 2020-03-17
公开(公告)号: CN111239899B 公开(公告)日: 2022-08-09
发明(设计)人: 胡志朋;邵斯竹;吴月;肖志雄;朱兴国;冯俊波;郭进 申请(专利权)人: 联合微电子中心有限责任公司
主分类号: G02B6/14 分类号: G02B6/14;G02B6/13;G02B6/136;G02B6/122;G02B6/12
代理公司: 重庆中之信知识产权代理事务所(普通合伙) 50213 代理人: 霍维英
地址: 400030 重庆*** 国省代码: 重庆;50
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摘要: 发明公开了基于衬底SiON波导键合实现模斑转换的方法及模斑转换器,包括:准备硅衬底和SOI晶圆,在所述硅衬底上制作第一凹槽;制作SiO2下包层以填充所述第一凹槽;在所述SiO2下包层内制作第二凹槽;制作第一SiON波导层以填充所述第二凹槽,进行平坦化处理;将所述SOI晶圆的顶层硅键合到所述硅衬底表面,并去除所述SOI晶圆的衬底硅层和埋氧层;刻蚀所述顶层硅,形成所述第一SiON波导层上的硅波导;在所述第一SiON波导层上制作第二SiON波导层以形成SiON波导;制作SiO2上包层以包覆所述SiON波导。本发明能防止模场泄露,可实现非气密性封装,耦合效率高,兼容CMOS工艺。
搜索关键词: 基于 衬底 sion 波导 实现 转换 方法 转换器
【主权项】:
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