[发明专利]一种基于量子碳膜的异质结光电二极管结构及制作方法有效
申请号: | 202010188256.5 | 申请日: | 2020-03-17 |
公开(公告)号: | CN111524997B | 公开(公告)日: | 2022-04-29 |
发明(设计)人: | 刘萍;刘丹 | 申请(专利权)人: | 湖北云邦科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/109 | 分类号: | H01L31/109;H01L31/0336;H01L31/0352;H01L31/18 |
代理公司: | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人: | 王震宇 |
地址: | 430205 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 一种异质结光电二极管结构及制作方法,该二极管结构包括:由多层石墨烯层上下层叠形成的量子碳膜基板;位于所述量子碳膜基板的第一侧的图形化的绝缘层;位于所述绝缘层上的氮化锌层,所述氮化锌层在所述绝缘层的图形化开口处与所述量子碳膜基板相接触形成pn结;与所述氮化锌层相接触的第一电极;以及与所述量子碳膜基板的第二侧相接触的第二电极。不同的实施例中,绝缘层也可以省去。第二电极也可以与第一电极位于量子碳膜基板的同一侧。该二极管结构在光电转换效率上得到大幅提升,且光谱响应范围宽,其制作工艺也简单,易于量产。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 量子 异质结 光电二极管 结构 制作方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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