[发明专利]一种谐振腔增强的单片集成传感器及测量方法有效

专利信息
申请号: 202010188882.4 申请日: 2020-03-17
公开(公告)号: CN111426450B 公开(公告)日: 2022-08-02
发明(设计)人: 程振洲;陈威成;韩森淼;胡浩丰;刘铁根 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: G01M11/02 分类号: G01M11/02;G01N21/31;G01N21/41
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人: 刘子文
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明公开一种谐振腔增强的单片集成传感器及测量方法,传感器包括谐振腔、二维材料层、电极、绝缘包层、耦合器、单色激光器、光电探测器、波导、绝缘层和衬底层;所述的绝缘包层和二维材料层从下到上依次位于谐振腔上方,所述的绝缘层和衬底层从上到下依次位于谐振腔下方,所述的波导与谐振腔位于同一层,且位于谐振腔的一侧;所述的电极设有两个,其中一个位于波导上,另一个位于二维材料层上,所述的耦合器置于波导的两端,所述的单色激光器和光电探测器分别连接耦合器。该传感器能够用于片上检测生物化学分子引起的波导环境折射率变化或是用于片上检测生物化学分子的吸收光谱。
搜索关键词: 一种 谐振腔 增强 单片 集成 传感器 测量方法
【主权项】:
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