[发明专利]一种阴离子掺杂的离子导体材料及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202010192176.7 | 申请日： | 2020-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN111370755A | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 石永明;闫昭;陶翔;罗飞 | 申请（专利权）人： | 溧阳天目先导电池材料科技有限公司 |
| 主分类号： | H01M10/0562 | 分类号： | H01M10/0562;H01M10/052 |
| 代理公司： | 北京慧诚智道知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11539 | 代理人： | 李楠 |
| 地址： | 213300 江苏省常州市溧阳市昆仑街道*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种阴离子掺杂的离子导体材料及其制备方法和应用，所述阴离子掺杂的离子导体材料具体为：在初始离子导体材料上进行阴离子掺杂取代，由掺杂取代离子取代初始离子导体材料中部分O |
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| 搜索关键词： | 一种 阴离子 掺杂 离子 导体 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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