[发明专利]一种基于裸片封装结构的SiC MOSFET SPICE模型建立方法有效
| 申请号： | 202010192530.6 | 申请日： | 2020-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN111368454B | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 叶雪荣;王浩南;张宏宇;翟国富 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G06F30/39;G06F113/18 |
| 代理公司： | 哈尔滨龙科专利代理有限公司 23206 | 代理人： | 高媛 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种基于裸片封装结构的SiC MOSFET SPICE模型建立方法，属于新型器件的建模与仿真领域。所述方法通过设计PCB测试电路获得开关振荡频率和实际波形后，利用ANSYS软件的STATIC STRUCTURE建模功能、Q3D寄生参数提取功能、Saber软件中ModelArchitect构建SiC MOSFET SPICE模型的功能等，快速准确地建立了模型。本发明根据实际振荡频率进行分析，得到的寄生参数较为准确。利用Saber软件建立了一种SiC MOSFET SPICE模型，采用实际振荡频率下从封装结构提取的寄生参数，提高了仿真模型的准确性。本发明建立的模型经过与实际测试的对比，显示出较好的准确性，可以为包含SiC MOSFET的复杂电路仿真方法提供依据。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 封装 结构 sic mosfet spice 模型 建立 方法 | ||
【主权项】：
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