[发明专利]一种巨磁阻抗效应复合材料及制备方法有效

专利信息
申请号: 202010195168.8 申请日: 2020-03-19
公开(公告)号: CN111370575B 公开(公告)日: 2023-04-07
发明(设计)人: 宋也男;赵振杰;孙卓;陈依君;邹锦堂 申请(专利权)人: 华东师范大学
主分类号: H10N35/85 分类号: H10N35/85;H10N35/00;H10N35/01
代理公司: 上海蓝迪专利商标事务所(普通合伙) 31215 代理人: 徐筱梅;张翔
地址: 200241 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种巨磁阻抗效应复合材料及制备方法,其制备方法:通过在巨磁阻抗传感器敏感元件中实现石墨烯层,采用化学镀手段,制备出由石墨烯层包裹的纳米晶Fe73.5Cu1Nb3Si13B9.5条带。本发明一方面磁性材料周围的导电或磁性材料会改变其磁性能,表面包覆石墨烯引起了纳米晶条带GMI比值的较大变化,显著增强了巨磁阻抗(GMI)效应,提高GMI传感器的灵敏度。另一方面利用氧化石墨烯在GMI传感器上的防腐性能获得高的表面积,可以增加表面选择性和适用范围。
搜索关键词: 一种 磁阻 效应 复合材料 制备 方法
【主权项】:
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