[发明专利]一种ZnMgO薄膜、紫外探测器及其制备方法有效
| 申请号： | 202010195985.3 | 申请日： | 2020-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN111261735B | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 刘可为;韩冬阳;陈星;张振中;李炳辉;申德振 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0296 | 分类号： | H01L31/0296;H01L31/036;H01L31/108;H01L31/18;C23C14/04;C23C14/18;C23C14/34;C23C16/40;C23C16/455;C23C28/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 刘乐 |
| 地址： | 130033 吉林省长春*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明提供了本发明提供了一种ZnMgO薄膜，所述ZnMgO薄膜具有单一六角相晶体结构；所述ZnMgO薄膜中，ZnO和MgO的质量比为(7～11)：1；所述ZnMgO的吸收截止边为350～370nm。本发明得到了一种ZnMgO薄膜材料，该ZnMgO材料具有单一六角相晶体结构，结晶质量高，吸收截止边陡峭等特点，而且本发明制备ZnMgO薄膜材料还具有面积大、表面平整的优点，进而使得本发明制备的ZnMgO紫外探测器具有较低的暗电流和良好的器件稳定性。本发明提供的可控制备方法，步骤简单，条件温和，重复性好，过程可控，有利于规模化推广和应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 znmgo 薄膜 紫外 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
